www.dd11dd.com(dot什么意思)
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2023-11-10
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1. www.dd11dd.com,dot什么意思?
dot美国交通部的缩写由dot 的标志则表示该轮胎,符合美国交通部规定的安全标准dot后面紧挨着的11位数字及字母则表示此轮胎的识别号码或序列号。
dot分为abc3级其中c级标准最低仅达到了美国运输部规定的最低性能,条件,其他两级均高于dot要求的标准。
2. DD3与DD2有什么不同之处?
和内存性能有关的,运行频率:DDR3 的频率从1066开始起跳,下面有DDR3 1333 DDR3 1600等,内存的性能当然是频率越高越好,但是现在内存频率太高对于电脑整体性能的提升并没有那么明显,因为现在电脑对内存的需求没有那么大,换言之,内存并不是现在电脑的性能瓶颈。当然DDR3 内存的好处还是有的(如对超频就十分有利),将来也一定会普及并取代DDR2内存; DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读,DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳; DDR3在DDR2基础上采用了8bit预取设计;点对点的拓朴架构,以及100nm以下的生产工艺等最新工艺,那么DDR3与DDR2到底有那些不一样的地方呢?相比DDR2发烧友和玩家们可以得到哪些性能上的提升; 由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制寻址时序提高。
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数:“写入延迟”,这一参数将根据具体的工作频率而定。
新增重置功能,重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚,DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了,这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单,当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力; 这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别,在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系,或者是点对双点的关系,从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载; 而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM、SO-DIMM/Micro-DIMM、FB-DIMM2之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2高级内存缓冲器。
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dot分为abc3级其中c级标准最低仅达到了美国运输部规定的最低性能,条件,其他两级均高于dot要求的标准。
2. DD3与DD2有什么不同之处?
和内存性能有关的,运行频率:DDR3 的频率从1066开始起跳,下面有DDR3 1333 DDR3 1600等,内存的性能当然是频率越高越好,但是现在内存频率太高对于电脑整体性能的提升并没有那么明显,因为现在电脑对内存的需求没有那么大,换言之,内存并不是现在电脑的性能瓶颈。当然DDR3 内存的好处还是有的(如对超频就十分有利),将来也一定会普及并取代DDR2内存; DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读,DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳; DDR3在DDR2基础上采用了8bit预取设计;点对点的拓朴架构,以及100nm以下的生产工艺等最新工艺,那么DDR3与DDR2到底有那些不一样的地方呢?相比DDR2发烧友和玩家们可以得到哪些性能上的提升; 由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制寻址时序提高。
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数:“写入延迟”,这一参数将根据具体的工作频率而定。
新增重置功能,重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚,DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了,这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单,当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力; 这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别,在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系,或者是点对双点的关系,从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载; 而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM、SO-DIMM/Micro-DIMM、FB-DIMM2之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2高级内存缓冲器。
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